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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Principle of lifetime-engineering in 4H-SiC by ion implantation
 
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2018
Poster
Title

Principle of lifetime-engineering in 4H-SiC by ion implantation

Title Supplement
Poster presented at ECSCRM 2018, 12th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials, Birmingham, 2nd - 6th September 2018
Author(s)
Erlekampf, Jürgen
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Kallinger, Birgit  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Berwian, Patrick  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Rommel, Mathias  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Friedrich, Jochen  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Frey, Lothar
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Erlbacher, Tobias  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Conference
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2018  
File(s)
Download (1.37 MB)
Rights
Use according to copyright law
DOI
10.24406/publica-fhg-401884
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
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