Elektrischer Kontaktschichtaufbau

Die Erfindung betrifft einen elektrischen Kontaktschichtaufbau, bei dem auf einem elektrisch leitenden Substrat oder einer elektrisch leitenden Schicht eine elektrisch leitende Verbindung zu einem weiteren elektrisch leitenden Element oder für einen elektrischen Anschluss ausgebildete elektrische Kontaktschicht vorhanden ist. Bei dem erfindungsgemässen elektrischen Kontaktaufbau ist auf einem Substrat oder einer Schicht, die auf einem Substrat ausgebildet ist, eine die elektrisch leitende Verbindung zu einem weiteren elektrisch leitenden Element oder für einen elektrisch Anschluss ausgebildete elektrische Kontaktschicht ausgebildet, die aus Titan-Silicium-Nitrid gebildet ist. In der Kontaktschicht ist Silicium mit einem Anteil im Bereich 1 at-% bis 10 at-% enthalten.

The structure has an electrical contact layer formed on a substrate or layer. The contact layer forms an electrically conductive connection to an electrically conductive element or electrical connector. The contact layer is made of titanium silicon nitride, and contains silicon in a range of 1-10 atomic percentages and metal e.g. copper and/or carbon. The contact layer is formed on an electrically conductive substrate or electrically conductive layer made of copper, gold, silver, aluminum, iron, palladium, chromium or alloy.