Dreidimensionale Simulation von Schichtabscheideprozessen in der Halbleitertechnologie

Es wurden Modelle für die dreidimensionale Simulation der Abscheidung verschiedener für die Halbleitertechnologie relevanter Schichten mittels chemischer und physikalischer Verfahren entwickelt und in ein Simulationsprogramm implementiert. Die Diskretisierung der Strukturen und die numerische Implementierung der Modelle werden beschrieben. Die Simulationsergebnisse zeigen für verschiedene Systeme (chemische Gasphasenabscheidung von Siliciumdioxid, Wolfram und Polysilicium, physikalische Gasphasenabscheidung von TiN) gute Übereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen aus eigenen Messungen bzw. aus der Literatur.