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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Gezielte Alterungssimulation von Hochvolt-Transistoren
 
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2017
Journal Article
Title

Gezielte Alterungssimulation von Hochvolt-Transistoren

Abstract
Um ein Schaltungsverhalten auf Jahre genau zu prognostizieren, haben Wissenschaftler des Fraunhofer IIS/EAS mathematische Alterungsmodelle für EDA-Umgebungen entwickelt. Die Modelle erweitern den Stand der Technik und werden in gängigen Entwurfsumgebungen bereitgestellt.
Author(s)
Lange, André  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS  
Journal
Elektronikpraxis  
Language
German
Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS  
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