Hochratige optische Empfänger für 80/160 Gbit/s

Die Weiterentwicklung von wellenleiter-integrierten Photodetektoren für Bitraten von 80/100 Gbit/s und höher und die Steigerung der Bandbreite der Photoempfänger bei 160 Gbit/s unter Anwendung des monolithischen Integrationskonzepts einer wellenleiter-integrierten Photodiode mit einem elektrischen Wanderwellenverstärker auf InP-Basis im optischen Langwellenbereich um 1,55 Mikrometer stehen hier im Mittelpunkt der Betrachtungen. Dabei wird auch eine Weiterentwicklung der Modultechnik für 80 Gbit/s und höher und durch die Anwendung einer Chip-Board- Verbindungstechnologie in Form der Flip-Chip-Bond-Technik für Datenraten im 160 Gbit/s-Bereich vorgenommen. Unter Beibehaltung des pinTWA- Integrationskonzepts werden die vertikalen Schichtenfolgen der Bauelemente (Photodiode und HEMT) und auch deren laterale Designs optimiert. Für die höhere Bitratenstufe wird die Photodiode in einer micro-pin-Photodiodenform und die Wanderwellendetektorform innerhalb des Integrationskonzepts weiterentwickelt (Bandbreiten um 120 GHz) und mit einem optimierten Wanderwellenverstärker monolithisch integriert. Als Ergebnisse werden unter anderem ein Integrationskonzept für einen 160- Gbit/s-Empfänger und ein Technologiedemonstrator dafür beschrieben. Hervorzuheben ist die erzielte direkte optisch-elektrische Konversion für die Datenrate von 160 Gbit/s.