Dünnschichtsolarzellen aus Galliumarsenid

Mittels Heteroepitaxie und selektiver Epitaxie aus der Gasphase werden Verfahren für Herstellung von GaAs-Solarzellen auf Fremdsubstrat entwickelt. Auf Eigensubstrat werden GaAs-Schichten durch Flüssigphasenepitaxie hergestellt und zu Solarzellen von hohem Wirkungsgrad (bis 20,7%) und sehr guten Werten von Leerlaufspannung (Voc=1,04V) und Füllfaktor (FF=0,86) prozessiert.