Zuverlässigkeitsuntersuchungen an einer hochtemperaturtauglichen SOI-CMOS-Technologie

Das Fraunhofer IMS entwickelt hochtemperaturtaugliche SOI-CMOS Prozesse mit minimalen Strukturgrößen von 1,0 µm bzw. 0,35 µm für den Betrieb bei 250 °C und mehr. Für die optimale Prozessentwicklung hin zu einem standardisierten Prozessablauf mit garantierter Funktionalität und Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen sind Simulationen von entscheidender Bedeutung.

The Fraunhofer IMS develops high-temperature compatible SOI CMOS processes with a minimum feature size of 1.0 µm or 0.35 µm for operation at 250 °C and more. For optimal process development towards a standardized process flow with guaranteed functionality and reliability at high temperatures simulations are of crucial importance.