Eine Thermosäule in Polysilicium-Dünnfilmtechnologie

Ein thermischer Detektor für Infrarotstrahlung, der nach dem Prinzip einer Thermosäule arbeitet, wird beschrieben. Der Sensor besteht aus einer Membran aus Siliciumnitrid, die auf einem Siliciumchip aufgespannt ist. Die Membran wird durch anisotrope Ätztechnik erzeugt. Eine Schwarzschicht auf der Membran absorbiert einfallende Infrarotstrahlung. Auf diese Weise wird eine Temperaturdifferenz zwischen der Membran und dem Chip erzeugt. Die Temperaturdifferenz wird mit in Reihe geschalteten Thermopaaren gemessen, die in Dünnfilmtechnik hergestellt sind. Der Sensor hat eine Empfindlichkeit von 55 V/W und eine Zeitkonstante von 15 ms.