Vertikaler IGBT für intelligente Leistungsschalter in SIMOX-Technologie

In dieser Arbeit wurde ein Herstellungsprozeß entwickelt, der die monolithische Integration eines vertikalen IGBTs mit einer SOI-CMOS-Schaltung in SIMOX-Substraten ermöglicht. Dabei wurden die Auswirkungen der Integration auf die Parameter des IGBTs, wie z.B. die Schwellenspannung, die Zündfestigkeit und das Konzept der Driftstrecke besonders berücksichtigt. Um die Ausschaltzeit des IGBTs zu erhöhen, wurde weiterhin eine Bestrahlung der Bauelemente mit Protonen durchgeführt und der Einfluß der Bestrahlungs- und Temperparameter auf die Eigenschaften des IGBTs untersucht.