Entwicklung und Charakterisierung von gesputterten Schichten zur Passivierung hocheffizienter Siliciumsolarzellen

Die Sputterdeposition ist ein industriell äußerst interessantes Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten. Inwieweit diese Schichten zur Passivierung von Siliciumoberflächen geeignet sind, wurde in der Vergangenheit allerdings nicht hinlänglich untersucht. In dieser Arbeit werden Sputterprozesse zur Abscheidung passivierender Schichten aus Siliciumnitrid, Aluminiumoxid und Aluminiumnitrid vorgestellt und die entwickelten Schichten mit einer Vielzahl an Charakterisierungsmethoden analysiert. Die hiermit gefertigten Teststrukturen und hocheffizienten Solarzellen zeigen die hervorragende Eignung dieser Schichten zur Passivierung hoch- und niedrig-dotierter Siliciumoberflächen.