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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Verwendung des BSIM2-Modells bei höheren Frequenzen
 
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1996
Journal Article
Title

Verwendung des BSIM2-Modells bei höheren Frequenzen

Abstract
Alle modernen Netzwerksimulationsprogramme enthalten für MOS-Transistoren mindestens die Modelle MOS1 bis MOS3, BSIM1 und BSIM2. Das BSIM2-Modell zeichnet sich durch eine relativ gute Widerspiegelung der DC-Eigenschaften einschließlich vieler Nebeneffekte des MOS-Transistors aus. Im Beitrag wird untersucht, inwieweit das BSIM2-Modell sich im unteren GHz-Bereich verwenden läßt.
Author(s)
Barthel, W.
Posdziech, G.
Journal
HF-Report  
Language
German
IMS2  
Keyword(s)
  • Bauelement

  • MOS

  • Simulationsmodell

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