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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Effect on non-ideal delta doping layers in Al0.3Ga0.7As/In0.3Ga0.7As pseudomorphic heterostructures
 
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1994
Conference Paper
Title

Effect on non-ideal delta doping layers in Al0.3Ga0.7As/In0.3Ga0.7As pseudomorphic heterostructures

Other Title
Die Wirkung nicht-idealer Delta-Dotierungsschichten in pseudomorphen Al0.3Ga0.7As/In0.3Ga0.7As Heterostrukturen
Author(s)
Fernandez de Avila, S.
Sanchez-Rojas, J.L.
Hiesinger, P.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Gonzalez-Sanz, F.
Calleja, E.
Köhler, Klaus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Jantz, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Munoz, E.
Mainwork
Gallium arsenide and related compounds 1993. Proceedings  
Conference
International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds 1993  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • DLTS

  • Hall carrier concentration

  • Hall Ladungsträger Konzentration

  • InGaAs heterostructure

  • InGaAs Heterostruktur

  • Si delta doping layer

  • Si delta-Dotierungsschicht

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