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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. MBE growth of In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs for high-speed lasers - relaxation limits and factors influencing dislocation glide
 
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1994
Conference Paper
Title

MBE growth of In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs for high-speed lasers - relaxation limits and factors influencing dislocation glide

Other Title
MBE-Wachstum von In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs für Hochgeschwindigkeits-Laser-Dioden - Relaxationsgrenzen und Faktoren, die Bewegungen von Versetzungen beeinflussen
Author(s)
Larkins, E.C.
Baeumler, Martina  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Wagner, J.
Bender, G.
Herres, N.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Maier, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Rothemund, W.
Fleissner, J.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Jantz, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Ralston, J.D.
Flemig, G.
Brenn, R.
Mainwork
Gallium arsenide and related compounds 1993. Proceedings  
Conference
International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds 1993  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • dislocation

  • GaAs

  • InGaAs

  • MBE

  • MQW

  • Versetzung

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