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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Feasibility of AlGaN/GaN HEMTs for Ku- and Ka-Band applications
 
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2002
Conference Paper
Title

Feasibility of AlGaN/GaN HEMTs for Ku- and Ka-Band applications

Other Title
Verwendungsfähigkeit der AlGaN/GaN HEMT Technologie für Mikrowellenanwendungen im Ku- und Ka-Band
Author(s)
Kiefer, R.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Quay, Rüdiger  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Mainwork
Wideband gap technologie. Application, devices and circuits issues  
Conference
International Microwave Symposium (IMS) 2002  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • GaN

  • HEMT

  • FET

  • microwave amplifier

  • Mikrowellenverstärker

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