Materials and device characteristics of single and double sided delta-doped pseudomorphic InxGa1-xAs/Al0.3Ga0.7As/GaAs high electron mobility transistors.

1990

Conference Paper

Titel

Alternative

Material und Bauelement Charakteristika von einseitig und doppelseitig delta-dotierten InxGa1-xAs/Al0.3Ga0.7As/GaAs HEMT-Strukturen

Author(s)

Ganser, P.

Hülsmann, A.

Köhler, K.

Schweizer, T.

Tasker, P.

Hauptwerk

Konferenz