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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Gassensitive MOS-Feldeffekttransistoren mit Gate-Beschichtung aus Ormosil
 
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1986
Conference Paper
Title

Gassensitive MOS-Feldeffekttransistoren mit Gate-Beschichtung aus Ormosil

Author(s)
Obermeier, E.
Kaas, K.-H.
Drost, S.
Endres, H.-E.
Hutter, F.
Schmidt, H.
Mainwork
Sensoren - Technologie und Anwendung  
Conference
Fachtagung Sensoren, Technologie und Anwendung 1986  
Language
German
IFT  
Keyword(s)
  • Gate-Beschichtung

  • MOS-Feldeffekttransistor(gassensitiv)

  • Ormosil

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