Untersuchung der Aktivierungseffekte durch DBD bei Atmosphärendruck für das Tieftemperatur-Direktbonden

Die dielektrische Barrierenentladung (DBD) kann in Silizium-Direktbondprozessen zu einer drastischen Reduzierung der erforderlichen Annealingtemperatur beitragen. Verschiedene Effekte, welche mit der direkten Einwirkung der Barrierenentladung auf die native Siliziumoxidoberfläche in Verbindung stehen und zur Erklärung des Aktivierungseffektes beitragen können, werden in diesem Beitrag vorgestellt.

The surface activation of silicon wafers with a dielectric barrier discharge (DBD) for direct bonding applications can greatly reduce the thermal budget for the annealing step. Various effects, which are related to the direct exposure of the native silicon oxide surface to the discharge and which may contribute to the explanation of the activation effect will be presented in this paper.