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Abschlussarbeit
Parameter Temperaturmodelle für CMOS-Transistoren im Bereich -50 Grad C bis 250 Grad C
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1989
Doctoral Thesis
Title
Parameter Temperaturmodelle für CMOS-Transistoren im Bereich -50 Grad C bis 250 Grad C
Thesis Note
Zugl.: Duisburg, Univ., Diss., 1988
Author(s)
Dalsaß, Karl-Günther
Publisher
Nellissen-Wolff
Publishing Place
Aachen
Language
German
Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS