Effiziente Hochvolt-GaN-Transistoren für Radaranwendungen

GaN-Transistoren, die bei höheren Versorgungsspannungen betrieben werden können, ermöglichen höhere Leistungen bei gleichzeitig kleinerer Chipfläche. Mit Hilfe dieser am Fraunhofer-Institut für angewandte Festkörperphysik IAF entwickelten Bauelemente sind stärkere Radarsender im L-,S-,C- und im X-Band realisierbar. Der Formfaktor der Systeme muss hierfür nicht verändert werden.