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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. InP/InGaAs-DHBT distributed amplifier MMICs exceeding 80 GHz bandwidth
 
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2005
Conference Paper
Title

InP/InGaAs-DHBT distributed amplifier MMICs exceeding 80 GHz bandwidth

Other Title
Wanderwellenverstärker aus InP-BHBTs mit Bandbreiten größer als 80 GHz
Abstract
Distributed amplifier MMICs with very large bandwidth were realized using an in-house InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT) technology. A choice of two amplifiers is presented. The amplifiers achieve a 3-dB bandwidth of 85 GHz and 101 GHz and a gain of 10.5 dB and 9.5 dB, respectively. Both show an excellent input matching over the entire bandwidth and an output matching of better than -10 dB up to 85 GHz. The group delay, which is calculated from measured S-Parameters, is flat up to 80 GHz.
Author(s)
Schneider, K.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Driad, Rachid  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Makon, R.E.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Tessmann, Axel  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Aidam, Rolf  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Quay, Rüdiger  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Schlechtweg, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Weimann, G.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Mainwork
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest 2005. CD-ROM  
Conference
International Microwave Symposium (IMS) 2005  
DOI
10.1109/MWSYM.2005.1517005
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • bipolar transistor amplifier

  • Bipolar Transistor Verstärker

  • distributed amplifier

  • verteilter Verstärker

  • heterojunction bipolar transistor

  • Wanderwellenverstärker

  • HBT

  • indium compounds

  • Indium-Verbindung

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