Untersuchung der SIMOX-Technologie zur Erzeugung anwendungsspezifischer SOI-Substrate

In der SIMOX-Technologie wird durch die Implantation von Sauerstoff und eine nachfolgende Temperung eine typischerweise 400 nm dicke vergrabene Siliziumdioxidschicht erzeugt, die einen etwa 200 nm dicken einkristallinen Siliziumfilm vom Siliziumsubstrat dielektrisch isoliert. Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist es, durch eine Variation der Prozeßparameter und -abläufe und eine dadurch ermöglichte Anpassung der Substrateigenschaften neue Anwendungen für diese Technologie zu erschliessen. Dies geschieht insbesondere im Hinblick auf eine Minimierung der Kosten-Nutzen-Relationen. An eine theoretische Prozeßbeschreibung schließt sich die Entwicklung von Materialcharakterisierungsverfahren an. Mit diesen Verfahren weden die Parameter-Merkmal-Wirkfunktionen und Variationen der Prozeßabläufe systematisch untersucht. Abschließend wird an einigen Awendungsbeispielen gezeigt, wie die Ergebnisse nutzbringend umgesetzt werden können. Es zeigt sich, daß durch die anwendungsspezifische Prozeßoptie rung das Einsatzgebiet der SIMOX-Technologie bei der Herstellung mikroelektronischer Systeme wesentlich vergrößert wird.