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1995
Conference Paper
Title
Aufbau eines Rechteckimpuls-Generators nach dem Transmission-Line-Prinzip mit verschiedenen Pulsdauern und Belastung von Halbleiter-Schutzstrukturen
Abstract
Die Entwicklung und die Anwendung eines Rechteckimpulsgenerators für hohe Impulsströme ist Gegenstand dieses Beitrags. Die Impulse variabler Dauer werden mittels Transmission-Line und Relais erzeugt. Neben dem Transmission-Line-Prinzip werden zwei wichtige Anwendungsgebiete, die Hochstrom-Charakterisierung und das Erstellen eines Power-Profiles, dargestellt. Im zweiten Teil wird der verwendete Rechteckimpuls-Generator und sein Umfeld im Meßsystem näher beschrieben. Als letztes werden die Meßergebnisse von drei 1,0 My-NMOS-Transistoren, deren Weite mit der Anzahl von Fingern variiert wird, vorgestellt. Hier werden Hochstrom-Charakteristiken mit verschiedenen Pulsdauern aufgenommen und ein Power-Profile erstellt. Mit einer Ausfallanalyse wurde dann der Schadensort im Halbleiter bestimmt.
Conference
Language
German