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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Aufbau eines Rechteckimpuls-Generators nach dem Transmission-Line-Prinzip mit verschiedenen Pulsdauern und Belastung von Halbleiter-Schutzstrukturen
 
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1995
Conference Paper
Title

Aufbau eines Rechteckimpuls-Generators nach dem Transmission-Line-Prinzip mit verschiedenen Pulsdauern und Belastung von Halbleiter-Schutzstrukturen

Abstract
Die Entwicklung und die Anwendung eines Rechteckimpulsgenerators für hohe Impulsströme ist Gegenstand dieses Beitrags. Die Impulse variabler Dauer werden mittels Transmission-Line und Relais erzeugt. Neben dem Transmission-Line-Prinzip werden zwei wichtige Anwendungsgebiete, die Hochstrom-Charakterisierung und das Erstellen eines Power-Profiles, dargestellt. Im zweiten Teil wird der verwendete Rechteckimpuls-Generator und sein Umfeld im Meßsystem näher beschrieben. Als letztes werden die Meßergebnisse von drei 1,0 My-NMOS-Transistoren, deren Weite mit der Anzahl von Fingern variiert wird, vorgestellt. Hier werden Hochstrom-Charakteristiken mit verschiedenen Pulsdauern aufgenommen und ein Power-Profile erstellt. Mit einer Ausfallanalyse wurde dann der Schadensort im Halbleiter bestimmt.
Author(s)
Mußhoff, C.
Wolf, H.
Gieser, H.
Mainwork
4. ESD-Forum 1995. Tagungsband  
Conference
ESD-Forum 1995  
Language
German
IFT  
Keyword(s)
  • ESD

  • Hochstrom-Charakteristik

  • Power-Profil

  • Rechteckimpuls-Generator

  • Transmission-Line-Prinzip

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