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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Influence of Aluminum Compensation Effects in 4H-SiC on the Performance of VDMOS Transistors
 
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2019
Poster
Titel

Influence of Aluminum Compensation Effects in 4H-SiC on the Performance of VDMOS Transistors

Titel Supplements
Poster presented at 18th International Conference on Silicon Carbide & Related Materials, September 29th - October 04th, 2019, Kyoto, Japan
Author(s)
Schlichting, Holger
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Kocher, Matthias
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Weiße, Julietta
Chair of Electron Devices, University Erlangen-Nuremberg
Erlbacher, Tobias
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Bauer, Anton J.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Konferenz
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
DOI
10.24406/publica-fhg-405610
File(s)
N-565346.pdf (1.24 MB)
Language
English
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Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
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