Mechanisches Bumping für die Flipchip Technologie

Die zunehmende Anzahl an I/O's der integrierten Halbleiterbausteine stellt große Anforderungen an die Aufbau- und Verbindungstechnik. Die Flipchip Technik ermöglicht es, der steigenden Integrationsdichte Rechnung zu tragen. Zur Kontaktierung der ungehäusten Chips auf dem Substrat benötigen die IC's erhöhte Anschlußstrukturen (Bumps). Zum Aufbringen dieser Bumps stehen herkömmliche Verfahren wie galvanische oder CVD Abscheidung zur Verfügung. Für kleinere bis mittlere Stückzahlen bietet sich das mechanische Bumping mit einem modifizierten Drahtbonder an. Da bestehendes Equipment umgerüstet werden kann und kostenintensive Prozesse entfallen, ist dieses Verfahren kostengünstig. In diesem Beitrag wird das mechanische Bumping von einzelnen Chips und die Kontaktierung auf das Substrat beschrieben. Unterschieden wird zwischen dem Bumping mit Golddraht und Blei-Zinn-Lotdraht. Während die PbSn gebumpten Chips in einem Reflow-Prozeß montiert werden, stehen für die mit Gold-Bumps versehenen Chips alternative Verfahren wie Thermokompressions-Bonden oder Klebetechniken zur Verfügung.