Dünnschicht-Solarzellen aus Galliumarsenid

Im Rahmen eines vierjährigen Forschungsvorhabens wurden Epitaxie, Charakterisierung und Technologie von GaAs für Solarzellen bearbeitet. Durch eine Kombination von Molekularstrahl- (MBE gleich molecular beam epitaxy) und Flüssigphasenepitaxie (LPE gleich liquid phase epitaxy) wurden Heteroschichtsysteme von GaAs auf Si hergestellt, die niedrige Versetzungswerte zeigen. Nach dem sehr einfachen Flüssigphasen-"Etchback-Regrowth"-Epitaxie (LPE-ER)-Verfahren wurden sehr gute Altief0.9Gatief0.1As/GaAs Heteroface-Schichten gewachsen. Durch Weiterentwicklung der Technologie gelang es, daraus Solarzellen mit bis zu 23.3 % (AM 1.5) Wirkungsgrad zu prozessieren. Erste Arbeiten an Konzentrator-Solarzellen erbrachten Wirkungsgrade von etwa 25 % (AM 1.5) bei Konzentration von C gleich 120.