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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Chirp characteristics of 1.55 mu m InGaAs/InGaAlAs multiple quantum well laser diodes
 
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1997
Conference Paper
Title

Chirp characteristics of 1.55 mu m InGaAs/InGaAlAs multiple quantum well laser diodes

Other Title
Chirp-Eigenschaften vo 1.55 Mikrometer InGaAs/InGaAlAs Mehrfachquantenfilm-Laserdioden
Author(s)
Czotscher, K.
Weisser, S.
Länge, R.
Benz, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Burkhard, H.
Hillmer, H.
Steinhagen, F.
Kiefer, R.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Lösch, R.
Pletschen, Wilfried  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Walcher, H.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Walther, Martin  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Rosenzweig, Josef  
Mainwork
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM, 1997. Conference proceedings  
Conference
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 1997  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • chirp characteristics

  • quantum well lasers

  • semiconductor laser

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