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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Chirp characteristics of 1.55 mu m InGaAs/InGaAlAs multiple quantum well laser diodes
 
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1997
Conference Paper
Titel

Chirp characteristics of 1.55 mu m InGaAs/InGaAlAs multiple quantum well laser diodes

Alternative
Chirp-Eigenschaften vo 1.55 Mikrometer InGaAs/InGaAlAs Mehrfachquantenfilm-Laserdioden
Author(s)
Czotscher, K.
Weisser, S.
Länge, R.
Benz, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Burkhard, H.
Hillmer, H.
Steinhagen, F.
Kiefer, R.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Lösch, R.
Pletschen, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Walcher, H.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Walther, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Rosenzweig, J.
Hauptwerk
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM, 1997. Conference proceedings
Konferenz
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 1997
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Language
English
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Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Tags
  • chirp characteristics

  • quantum well lasers

  • semiconductor laser

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