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Abschlussarbeit
Charakterisierung optoelektronischer Bauelemente aus p-i-n Halbleiterheterostrukturen
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1994
Doctoral Thesis
Titel
Charakterisierung optoelektronischer Bauelemente aus p-i-n Halbleiterheterostrukturen
ThesisNote
Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 1994
Author(s)
Bender, G.
Verlagsort
Freiburg/Brsg.
Language
German
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Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Tags
InGaAs
Ladungsträgertransport
nichtlinearer Photostrom
p-i-n Diode
Verspannungsrelaxation
