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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Charakterisierung optoelektronischer Bauelemente aus p-i-n Halbleiterheterostrukturen
 
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1994
Doctoral Thesis
Title

Charakterisierung optoelektronischer Bauelemente aus p-i-n Halbleiterheterostrukturen

Thesis Note
Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 1994
Author(s)
Bender, G.
Publishing Place
Freiburg/Brsg.
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • InGaAs

  • Ladungsträgertransport

  • nichtlinearer Photostrom

  • p-i-n Diode

  • Verspannungsrelaxation

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