Mikrostrukturelle Vorgänge bei der Verschweißung von AlSi1-Draht im Ultraschall-Wedge-Wedge-Bondprozess. Tl.2

Im Mittelpunkt der Arbeit stehen sowohl die metallkundlichen Vorgänge bei der Verschweißung am Interface als auch Gefügeeigenschaften im verwendeten Bonddraht. Diese Vorgänge sind sehr eng mit der Oberflächenaktivierung der Fügepartner und der Drahtdeformation in z-Richtung verknüpft. Entgegen der bisherigen Vorstellungen wird die Flash-Au-Schicht der Leiterplattenmetallisierung durch die Relativbewegung zwischen Draht und Substrat im US-Wedge-Wedge-Bonden nicht durchgerieben, sondern bleibt als Bestandteil des elektrischen Kontaktes erhalten.

The paper reports about the micro- and nanostructural processes at the interface and in the bonding wire. These processes are closely related to wire and substrate surface activation and to wire deformation in z-direction. Contrary to the established assumption, after the wire bond process the 50-100 nm thin flash-Au-layer is an eminent part of the interface structure and the electric contact.