Verbundprojekt - Neue Dünnschichtverfahren durch "molecular engineering" metallorganischer Verbindungen. Teilvorhaben - Untersuchung der Plasmaparameter

Unter verschiedenen Plasmabedingungen wurde N- Trimethylborazol als Prekursor eingesetzt. Dabei konnte gezeigt werden, daß sich aus dieser Verbindung im Down-stream-ECR-Prozeß mit Argon als Plasmagas harte, transparente BCN:H-Schichten bei einer Substattemperatur von 150 Grad C abscheiden lassen. Mit einer Mischung aus Argon und Stickstoff als ECR-Plasmagas wurden Filme mit einem hohen Anteil an kubischem Bornitrid bei 800 Grad C erhalten. Bei Anwendung des Sputter/CVD-Prozesses konnten metallcarbid- und nitridhaltige BCN:HSchichten abgeschieden werden. Untersucht wurde auch die Plasma-CVD-Abscheidung von Aluminium aus Trimethyl-aluminium und N-Trimethylamin-alan. Hier konnte gezeigt werden, daß sich mit einer vorhergehenden Plasmabekeimung der Substrate die Oberflächenrauhigkeit einer wachsenden Al-Schicht erheblich verkleinern läßt.