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Fraunhofer-Gesellschaft
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  3. Abschlussarbeit
  4. Untersuchung des Hochfrequenzrauschens von InGaAs-Transistoren
 
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2017
Master Thesis
Title

Untersuchung des Hochfrequenzrauschens von InGaAs-Transistoren

Thesis Note
Freiburg/Brsg., Univ., Master Thesis, 2017
Author(s)
Heinz, Felix  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Advisor(s)
Schwantuschke, Dirk  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Person Involved
Ambacher, Oliver  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Publishing Place
Freiburg/Brsg.
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
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