Magnetron-PECVD als neuartiger Beschichtungsprozess zur Herstellung von SiO(x)C(y)-Schichten auf flexiblen Substraten

In dieser Arbeit wurde mit dem Magnetron-PECVD (Gasphasenabscheidung) Prozess ein alternatives Verfahren zur Herstellung von SiOxCy-Schichten vorgestellt. Wie auch bei anderen PECVD Prozessen können nur durch Anpassen des Prozessgasflusses die Schichtzusammensetzung und die optischen und mechanischen Schichteigenschaften variiert werden. Schichten, die mittels Magnetron-PECVD hergestellt wurden, haben eine deutlich niedrigere Härte als gesputterte Siliziumoxid oder - nitridschichten. Der Prozessdruck liegt bei der Magnetron-PECVD im Bereich des reaktiven Sputtems (0,5 Pa bis wenige Pa). Dies erlaubt die simultane Nutzung von Magnetron-PECVD und anderen Prozessen in verschiedenen Prozesskammern der gleichen Beschichtungsanlage. Magnetron- PECVD eignet sich also gut für den Einsatz in Barriereschichtsystemen als Defektentkopplungsschicht nach dem Mehrfachschichtmodell von Graff et al. oder auch in optischen Schichtsystemen. Es wurde gezeigt, dass auch eine Aufskalierung des PECVD Prozesses zu einer größeren Produktivität und Beschichtungsbreite möglich ist. Die dynamische Beschichtungsrate lässt sich bei höheren Plasmaleistungen und hohen Monomerflüssen bis zu 400 nm*m/min steigern. In einem Zeitraum von 6 h bleibt die Rate in einem Rahmen 5 % konstant. Die Gleichmäßigkeit über die Beschichtungsbreite kann mit einem mehrkanaligen Gaseinlasssystem verbessert werden.