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Konferenzschrift
Device Design and Process Integration of SiC Trench MOSFETs
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2021
Presentation
Titel
Device Design and Process Integration of SiC Trench MOSFETs
Titel Supplements
Presentation held at 5th International Symposium on SiC Materials and Devices 2021, November 25, 2021, Busan, Korea
Author(s)
Lim, Minwho
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Rusch, Oleg
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Erlbacher, Tobias
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Bauer, Anton
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Konferenz
International Symposium on SiC Materials and Devices 2021
DOI
10.24406/publica-fhg-413220
File(s)
N-643869.pdf (2.48 MB)
Language
English
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Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
