ALD-basierte, monolithisch integrierte 3D-Nanostrukturen

Das Fraunhofer IMS hat auf Basis von DRIE und ALD einen Post-CMOS-Prozess entwickelt, der zur Herstellung von 3d-Strukturen genutzt werden kann. Als Beispiel dieser Technologie werden Multi-Elektroden-Arrays (MEA) mit einem Ruthenium-Nano-Rasen für biomedizinische Anwendungen vorgestellt.

The Fraunhofer IMS has developed a post-CMOS process based on DRIE and ALD, which can be used for the production of 3D nanostructures. As an example of this technology multi-electrode arrays (MEA) with a ruthenium-nano-lawn are presented for biomedical applications.