Verkohltes Silizium. Neues Halbleitermaterial für die Leistungselektronik
Abstract
Herausragende Materialeigenschaften machen Siliziumkarbid (SiC)zu einem nahezu idealen Halbleiter für leisungselektronische Bauelemente. SiC ermöglicht hochsperrende, durchlass- und schaltverlustarme Bauelemente, die neue Anwednugsfelder eröffnen. Der stärkeren Verbreitung von SiC-Bauelementen steht bislang noch die sehr kostenintensive Herstellung entgegen. Mit der Einführung des ersten Massenprodukts, einer Schottky-Diode, lässt sich nun aber der Anfang eines breiten Einsatzes dieser neuartartigen Bauteile absehen.
