Angular distributions of sputtered atoms from semiconductor targets at grazing ion beam incidence angles
Abstract
Der Zerstäubungsprozess von Germanium und Silicium wird experimentell und durch Monte-Carlo Simulationen untersucht. Insbesondere wird der streifende Ioneneinfall untersucht, da hier die Winkelverteilungen zerstäubter Atome asymmetrisch zum Polarwinkel sind. Ein verbessertes analytisches Modell zur Beschreibung von Winkelverteilungen wird vorgestellt, welches zusätzlich vom Ioneneinfallswinkel abhängig ist.
