Metallisierung von Polymeren für Dünnfilmverdrahtungen

BCB mit seinen hervorragenden thermisch-mechanischen und dielektrischen Eigenschaften ist als Dünnfilmverdrahtungsträger für die MCM-D-Technologie besonders geeignet. Da es von diesem Material auch eine photosensitive Formulierung gibt, ist die Möglichkeit zum kostengünstigen Aufbau von Mehrlagenverdrahtungen gegeben. Die ausgezeichnete chemische Resistenz in Säuren und Alkalien prädestiniert das Material zudem für den additiven Verdrahtungsaufbau in außenstromlos arbeitenden Kupfer- oder Goldbädern. Das in diesem Zusammenhang auftretende Problem, die Polymeroberfläche für den Metallisierungsprozess ausreichend zu aktivieren, konnten durch die Verarbeitung teilvernetzter BCB-Lagen kostengünstig mittels naßchemischer Prozesse gelöst werden. Es wurde ein additiver Cu-Strukturaufbau mit Au-Startmetallisierung realisiert. Haftfestigkeit und spezifischer elektrischer Widerstand lassen das System für den Aufbau von Mehrlagenstrukturen geeignet erscheinen.