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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Compositional analysis of MBE pseudomorphic InGaAs/AlGaAs/GaAs structures by determination of film thickness with SIMS
 
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1992
Conference Paper
Title

Compositional analysis of MBE pseudomorphic InGaAs/AlGaAs/GaAs structures by determination of film thickness with SIMS

Other Title
Analyse der Zusammensetzung MBE gewachsener pseudomorpher InGaAs/AlGaAs/GaAs-Strukturen durch Bestimmung der Schichtdicken mit der SIMS
Author(s)
Höpner, A.
As, D.J.
Köhler, Klaus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Maier, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Mainwork
Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VIII  
Conference
International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry 1991  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • compositional analysis

  • molecular beam epitaxy

  • Molekularstrahlepitaxie

  • Quantentrog-Schichtdicke

  • quantitative Analyse

  • quantum well width

  • secondary ion mass spectrometry

  • Sekundärionen-Massenspektrometrie

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