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2010
Conference Paper
Title
Abscheidung von haftvermittelnden Schichten mittels Atmosphärendruck Plasmen
Abstract
Für Substratmaterialien aus dem Bereich der Elektrotechnik und Elektronik (Silber und Kupfer) konnte eine N2/H2-Plasmavorbehandlung die Zug-Scherfestigkeiten durch eine Reinigung der Oberfläche zusammen mit einer Modifizierung der Oxid-Schicht deutlich erhöhen. Die so erzeugte reaktive Oberfläche konnte zum Anbinden an eine plasmapolymere Haftvermittlerschicht bei hohen Prozessgeschwindigkeiten und geringen Leistungseinträgen genutzt werden. In Kombination mit einer auf Haftungsvermittlung abgestimmten dünnen Beschichtung ermöglicht diese Vorbehandlung deutlich größere Zug-Scherfestigkeitswerte bei der Klebung. Weitere Versuche mit Kupfer-Probenmaterial unserer Projektpartner zeigten auch unter Auslagerung bei den beschriebenen Prozessparametern eine Verbesserung der Scherfestigkeiten zwischen 20 und 200 % (abhängig von den Auslagerungsbedingungen) Speziell bei der Vorbehandlung von Kupfer mit einem N2/H2-Plasma ist die Offenzeit zwischen Vorbehandlung und Beschichtung ein wichtiger Prozessparameter im Bezug auf die Adhäsion der Beschichtung und Re-Oxidation der Oberfläche. Im Prozess lässt sich diese Zeit durch kombinierte Düsensysteme minimieren.