Entwicklung mikrostrukturierter DH-Diodenlaser und Detektoren für den nahen und mittleren infraroten Spektralbereich unter Einsatz der Molekularstrahlepitaxie

Laser aus Bleichalkogeniden emittieren zwischen 3 und 30 mym. Ihr Haupteinsatzgebiet ist die Gasanalyse. Die Herstellung der Dioden erfolgt unter Einsatz der Molekularstrahlepitaxie, wodurch Doppelheterostrukturen aufgebaut werden können. Diese Technologie führt zu reproduzierbaren Bauelementen mit derzeit höchsten Betriebstemperaturen, so daß diese Laser zur Gasspektroskopie oberhalb 72 K eingesetzt werden können. Aufbauend auf den DH-Strukturen werden Laser mit verteilter Rückkoppelung (DBR-Laser) für den einmodigen Betrieb entwickelt. Weitere Entwicklungen betrafen Detektoren auf der Basis der Bleichalkogenide sowie die Molekularstrahlepitaxie dieser Verbindung selbst.