Polarisationsempfindliche Photodioden und Bildsensoren mit integrierten Nanostrukturen in Standard-CMOS

In diesem Beitrag werden Entwurf, Simulation, Herstellung und Charakterisierung von Photodioden mit integrierten Subwellenlängengittern beschrieben. Diese polarisationsfilternden Nanostrukturen wurden im Rahmen eines unmodifizierten Standard-CMOS-Prozesses hergestellt, was die Fertigung von Polarisationssensoren sowie von polarisationsempfindlichen Bildsensoren in großen Stückzahlen ermöglicht.