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2009
Conference Paper
Title
Polarisationsempfindliche Photodioden und Bildsensoren mit integrierten Nanostrukturen in Standard-CMOS
Abstract
In diesem Beitrag werden Entwurf, Simulation, Herstellung und Charakterisierung von Photodioden mit integrierten Subwellenlängengittern beschrieben. Diese polarisationsfilternden Nanostrukturen wurden im Rahmen eines unmodifizierten Standard-CMOS-Prozesses hergestellt, was die Fertigung von Polarisationssensoren sowie von polarisationsempfindlichen Bildsensoren in großen Stückzahlen ermöglicht.
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