• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Artikel
  4. Peculiarities of excitonic photoluminescence of selectively-doped GaAs/Al(0.25)Ga(0.75)As structures
 
  • Details
  • Full
Options
2003
Journal Article
Title

Peculiarities of excitonic photoluminescence of selectively-doped GaAs/Al(0.25)Ga(0.75)As structures

Other Title
Eigenheiten exzitonischer photolumineszenz von selektiv dotierten GaAs/Al(0.25)Ga(0.75)As Strukturen
Author(s)
Kundrotas, J.
Asmontas, S.
Suziedelis, A.
Valusis, G.
Roskos, H.G.
Köhler, Klaus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Journal
Lithuanian journal of physics  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • III-V Halbleiter

  • III-V semiconductor

  • heterostructure

  • Heterostruktur

  • optical property

  • optische Eigenschaft

  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024