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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. GaSb-based tapered diode lasers at 1.93 µm with 1.5-W nearly diffraction-limited power
 
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2006
Journal Article
Titel

GaSb-based tapered diode lasers at 1.93 µm with 1.5-W nearly diffraction-limited power

Alternative
GaSb-basierende Trapezlaser mit einer Wellenlänge von 1.93 µm und einer nahezu beugungsbegrenzten Leistung von 1.5W
Abstract
High-power high-brightness 1.93-µm wavelength (AlGaIn)(AsSb) tapered diode lasers with a narrow vertical waveguide design are reported for the first time. A nearly diffraction-limited continuous-wave output power of 1.5 W together with a remarkable low fast axis divergence of 43° full-width at half-maximum have been demonstrated. The maximum brightness amounts to 32 MW/cm2 sr.
Author(s)
Pfahler, C.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Kaufel, G.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Kelemen, M.T.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Mikulla, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Rattunde, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Schmitz, J.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Wagner, J.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Zeitschrift
IEEE Photonics Technology Letters
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DOI
10.1109/LPT.2006.871679
Language
English
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Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Tags
  • AlGaAsSb

  • GaInAsSb

  • GaSb

  • mid-infrared

  • molecular beam epitaxy

  • semiconductor laser

  • tapered laser

  • high brightness

  • mittleres Infrarot

  • Molekularstrahlepitaxie

  • Halbleiterlaser

  • Trapezlaser

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