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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid
 
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2018
Doctoral Thesis
Title

Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid

Abstract
Amorphe Al2O3-Schichten eignen sich hervorragend zur Passivierung kristalliner Si-Oberflächen, was insbesondere in der Photovoltaik zu einem enormen Anstieg der Solarzellen-Effizienz führen kann. In der vorliegenden Arbeit wurden die genauen physikalischen Ursachen der Passiviereigenschaften von Al2O3-Schichten untersucht. Dazu wurden Temperatur-induzierte Aktivierungs- und Degradations-Phänomene von Si/SiO2/Al2O3-Proben analysiert. Unter Anderem wurde so ein Modell zur Beschreibung des Phänomens Blistering erstellt, die Aktivierungsenergie der negativen Grenzflächen-Ladungsträger bestimmt und mit dem Si-db ein Defekt identifiziert, welcher wesentlich zur Rekombination von Minoritätsladungsträgern an der Si/ Al2O3-Grenzfläche beiträgt.
Thesis Note
Zugl.: Freiburg, Univ., Diss., 2016
Author(s)
Kühnhold-Pospischil, Saskia  
Advisor(s)
Hofmann, Marc  
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE  
Person Involved
Weber, Eicke R.
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE  
Zacharias, Margit
Uni Freiburg
Publisher
Fraunhofer Verlag  
Publishing Place
Stuttgart
DOI
10.24406/publica-fhg-282069
File(s)
N-490491.pdf (5.99 MB)
Rights
Under Copyright
Language
German
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE  
Keyword(s)
  • condensed matter physics (liquid state & solid state physics)

  • atomic & molecular physics

  • Angewandte Physik

  • Physik der kondensierten Materie

  • Atom- und Molekülphysik

  • Physik

  • Materialwissenschaft

  • Festkörperphysik

  • Photovoltaik

  • Halbleiterphysik

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