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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Antimonidische Übergitter Infrarot-Photodioden mit reduziertem Dunkelstrom
 
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2019
Doctoral Thesis
Title

Antimonidische Übergitter Infrarot-Photodioden mit reduziertem Dunkelstrom

Abstract
In der vorliegenden Arbeit werden InAs/GaSb-Übergitterphotodioden für den infraroten Spektralbereich untersucht. Die elektrooptische Leistungsfähigkeit solcher Detektoren wird durch den Dunkelstrom begrenzt. Daher ist es nötig diese Photodioden stark gekühlt zu betreiben. Eine Reduktion des Dunkelstroms ermöglicht es die Detektoren bei höheren Temperaturen betreiben zu können wodurch die Kühlaufwände verringert werden. Dazu ist zunächst ein genaues Verständnis der limitierenden Mechanismen nötig. Hierzu wird eine Methodik vorgestellt, die die Identifikation der Dunkelstrommechanismen über einen breiten Temperaturbereich erlaubt. Im zweiten Schritt wird die Reduktion des Dunkelstroms durch Anpassung des Bauteilkonzeptes realisiert. Hierbei wird durch einen sogenannten Heteroübergang die Bandlückenenergie des Detektors derart angepasst, dass die Detektionseigenschaften einer Diode niedriger Bandlückenenergie mit den Dunkelstromeigenschaften eines Detektors großer Bandlückenenergie kombiniert werden. Die somit erreichbare Reduktion des Dunkelstroms kann für eine Erhöhung der Betriebstemperatur um etwa 20 K genutzt werden.
Thesis Note
Zugl.: Freiburg, Univ., Diss., 2019
Author(s)
Schmidt, Johannes  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Person Involved
Bast, H.
Ambacher, O.
Fiederle, M.
Publisher
Fraunhofer Verlag  
Publishing Place
Stuttgart
DOI
10.24406/publica-fhg-282806
File(s)
N-559327.pdf (6.43 MB)
Rights
Under Copyright
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Infrarotdetektor

  • InAs/GaSb-Übergitter

  • Dunkelstrom

  • Photodiode

  • Dioden mit Heteroübergang

  • Halbleiterphysiker

  • Materialwissenschaftler

  • Messtechnikingenieure

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