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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Advanced metamorphic HEMT submillimeter-wave monolithic integrated circuits and modules up to 320 GHz
 
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2010
Conference Paper
Title

Advanced metamorphic HEMT submillimeter-wave monolithic integrated circuits and modules up to 320 GHz

Author(s)
Schlechtweg, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Tessmann, Axel  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Leuther, Arnulf  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Kallfass, I.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Hurm, V.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Massler, Hermann
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Rosenzweig, Josef  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Zink, Martin  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Riessle, Markus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Lösch, R.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Mainwork
6th Joint Symposium on Opto- & Microelectronic Devices and Circuits, SODC 2010  
Conference
Joint Symposium on Opto- & Microelectronic Devices and Circuits (SODC) 2010  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • metamorpher Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit

  • metamorphic high electron mobility transistor

  • metamorpher HEMT

  • MHEMT

  • high-gain amplifier

  • H-band

  • submillimeter-wave monolithic integrated circuit

  • S-MMIC

  • grounded coplanar waveguide

  • GCPW

  • waveguide-to-microstrip transition

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