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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Baron ion implantation in Hg(1-x)Cd(x)Te
 
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1982
Journal Article
Title

Baron ion implantation in Hg(1-x)Cd(x)Te

Other Title
Bor Ionen Implantation in Quecksilber Cadmium Tellurid Hg(1-x)Cd(x)Te
Author(s)
Baars, J.
Hurrle, A.
Rothemund, W.
Fritzsche, C.R.
Jakobus, T.
Journal
Journal of applied physics  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Bor

  • cadmium

  • Donator

  • implantation

  • n-Leitfaehigkeit

  • Quecksilber

  • Tellur

  • Tempern

  • tertiaerer Halbleiter

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