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Abschlussarbeit
(GaIn)(ASP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern
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2002
Doctoral Thesis
Title
(GaIn)(ASP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern
Thesis Note
Freiburg, Univ., Diss., 2002
Author(s)
Serries, D.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Publishing Place
Freiburg
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Keyword(s)
GaInAsN
GaInAsP
Arsenid-Nitrid
InP
MOCVD
Diodenlaser
Gasspektroskopie