Ein hochempfindlicher Fluxgate-Magnetfeldsensor (Saturationskernmagnetometer) wurde erstmalig vollständig in Silicium-Planartechnologie realisiert. Die Fertigung in einem konventionell verfügbaren 1,5mym CMOS-Prozeß mit nur einem Zusatzschritt (CMOS-verträglich) erlaubt die monolithische Integration der Ansteuer- und Auswerteelektronik des Sensors auf dem gleichen Chip. Die vom Sensorelement benötigte Chipfläche von nur 0,5 qmm eröffnet neue Möglichkeiten zur Realisierung ebener und räumlicher Multisensoranordnungen mit einer von klassischen Fluxgate-Sensoren nicht erreichbaren örtlichen Auflösung. Potentielle Anwendungen findet der Sensor in der Magnetfeldmessung, in elektronischen Kompaßsystemen, der potentialfreien Strommessung oder auf dem Gebiet der nichtzerstörenden Materialprüfung.
