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Fraunhofer-Gesellschaft
Abschlussarbeit
Charakterisierung dünner Gate- und Tunneloxide in CMOS-Prozessen
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2000
Diploma Thesis
Titel
Charakterisierung dünner Gate- und Tunneloxide in CMOS-Prozessen
ThesisNote
Duisburg, Univ., Dipl.-Arb., 2000
Author(s)
Specht, M.
Verlagsort
Duisburg
Language
German
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Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS
Tags
CMOS process
gate oxide
