Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer organischen Halbleiterschicht

DE102012012653A1 Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem innerhalb eines Rezipienten auf einer Schicht (2) aus einem organischen Halbleitermaterial mittels Magnetron-Sputtern eine weitere Schicht abgeschieden wird, wobei fuer das Sputtern mindestens ein unbalanciertes Magnetron (3; 4) mit einer Magnetfeldstaerke von mindestens 35 kN/m verwendet wird.

The method involves using non-equilibrium magnetron with 35 kA/m magnetic field intensity for sputtering process. The electric potential of the anode is separated from the electric potential of substrate (1). The electric potential of film-forming chamber is used for magnetron sputtering.